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Concentração intrínseca de portadores

Com os valores de livro do silício a 300 K, densidades de estados de 2,8 × 10^25 e 1,04 × 10^25 por metro cúbico e banda proibida de 1,12 eV, a concentração intrínseca de portadores é de 6,675898719714808 × 10^15 por metro cúbico. Grátis no seu navegador.

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Se você digitar
Nc
28.000.000.000.000.000.000.000.000
Nv
10.400.000.000.000.000.000.000.000
Banda proibida
1,12
Criatividade
300
Você obtém
Concentração intrínseca de portadores
6.675.898.719.714.808 m^-3
Ni m3
6.675.898.719.714.808
Ni cm3
6.675.898.719,7148075
K b
0

Esta calculadora de concentração intrínseca de portadores devolve a densidade de equilíbrio de elétrons e lacunas de um semicondutor não dopado a partir das densidades efetivas de estados das bandas de condução e de valência, da energia do gap e da temperatura absoluta. As densidades de estados entram em metros cúbicos inversos e o resultado é a concentração intrínseca de portadores por metro cúbico, a unidade SI dos modelos de dispositivo, dos cadernos de processo e dos exercícios de semicondutores. O gap vai em elétron-volts e a temperatura em kelvin; a constante de Boltzmann é o valor exato do SI 2019 convertido a elétron-volts por kelvin, de modo que dois clientes nunca discordam sobre a energia térmica. O motor usa só aritmética finita, sem chamadas de rede, sem amostragem e sem atalhos que dependam da data.

O que a concentração intrínseca de portadores mostra

Em um semicondutor puro, a energia térmica faz alguns elétrons atravessarem a banda proibida até a banda de condução, e cada um deixa uma lacuna na banda de valência. No equilíbrio as duas densidades são iguais, e esse valor comum é a concentração intrínseca de portadores. O cálculo multiplica as duas densidades efetivas de estados, tira a raiz quadrada e ajusta o resultado por um fator exponencial que depende da banda proibida dividida pelo dobro da energia térmica. A constante de Boltzmann usa o valor exato do SI de 2019, em elétron-volts por kelvin. Na aproximação não degenerada usual, o produto das densidades de elétrons e lacunas é o quadrado desse número, por isso ele aparece em modelos de dispositivos e em problemas de junções pn.

Unidades e erros a evitar

Digite as densidades de estados por metro cúbico, não por centímetro cúbico; o resultado sai por metro cúbico e também por centímetro cúbico, para comparar com qualquer tabela. A banda proibida vai em elétron-volts e a temperatura em kelvin, nunca em graus Celsius, e uma temperatura nula ou negativa é recusada. Como as densidades de estados tabeladas já contêm a temperatura, use valores que correspondam à temperatura digitada; senão, o expoente e o prefator vão descrever dois cristais diferentes.

O que acontece se a temperatura for zero ou negativa?

A concentração intrínseca de portadores é indefinida para uma temperatura absoluta não positiva porque o fator de Boltzmann exp(-E_g / (2 k_B T)) não está definido quando T não é positiva.

Quais unidades devo usar?

Informe N_c e N_v em metros cúbicos inversos (m^-3), o gap em elétron-volts (eV) e a temperatura em kelvin (K).

Isso é o mesmo que uma concentração de portadores dopados ou um solver do nível de Fermi?

Não aplica a neutralidade de carga com densidades de doadores ou aceptores, e não resolve o nível de Fermi.

Por que o resultado muda tanto com a temperatura ou a banda proibida?

Porque a banda proibida dividida pelo dobro da energia térmica fica dentro de uma exponencial. Um cristal um pouco mais quente ou com banda um pouco menor eleva a concentração intrínseca em ordens de grandeza, não em poucos por cento.

A calculadora obtém as densidades de estados a partir das massas efetivas?

Não. Você digita diretamente as densidades de estados das bandas de condução e de valência, como aparecem nas tabelas. Elas já incluem o fator de massa efetiva e de temperatura, então a calculadora não as recalcula.

Tudo nesta página está disponível via API. Esta seção é para equipes que querem integrar a ferramenta aos próprios sistemas; quem não precisa disso pode simplesmente usar a ferramenta acima.

POSThttps://api.kit.forhosting.com/phys/intrinsic-carrier-concentration

Autenticação por token Bearer. Um único POST coloca a tarefa na fila; o resultado chega por webhook ou link assinado.

curl -X POST https://api.kit.forhosting.com/phys/intrinsic-carrier-concentration \
  -H "Authorization: Bearer $KIT_KEY" \
  -H "Content-Type: application/json" \
  -d '{"nc":2.8e+25,"nv":1.04e+25,"bandgap":1.12,"temperature":300}'
{
  "nc": 2.8e+25,
  "nv": 1.04e+25,
  "bandgap": 1.12,
  "temperature": 300
}
{
  "task_id": "tsk_a1b2c3d4e5f6a1b2c3d4e5f6",
  "type": "phys.intrinsic_carrier_concentration",
  "status": "queued",
  "_links": {
    "result": "/tasks/tsk_…/result"
  }
}

A API é assíncrona: cada chamada devolve um task_id na hora. Se preferir polling, consulte o status a até 1 requisição por segundo.

por chamadaUS$ 0,002

Preço publicado, sem tokens nem créditos escondidos. Tarefa que falha não é cobrada.

max_nc1e+40
max_nv1e+40
max_bandgap1000000
max_temperature1e+40
HTTPCódigoO que significa
401unauthorizedToken ausente ou inválido. Confira o header Authorization.
402insufficient_balanceSaldo insuficiente para esta tarefa. Faça uma recarga e tente de novo.
404unknown_typeEsse tipo de tarefa não existe. Confira o campo type no catálogo.
429rate_limitedMuitas requisições em pouco tempo. Espere um instante e tente de novo.

A identidade fechada é n_i igual à raiz quadrada de N_c vezes N_v, multiplicada pela exponencial de menos E_g sobre dois k_B T. A temperatura deve ser estritamente positiva: zero ou kelvin negativos são rejeitados com invalid_input porque o fator de Boltzmann fica indefinido para uma energia térmica não positiva. Use-a de graça no navegador para exercícios, conferências de processo e treinos de olimpíada, ou chame a API a US$ 0,002 por requisição bem-sucedida quando precisar de valores reproduzíveis de n_i em CI, software didático ou pipelines de dispositivo.

O que a concentração intrínseca de portadores significa e o que a resposta contém

N_c é a densidade efetiva de estados da banda de condução e N_v a da banda de valência; ambas já incorporam o prefator usual de dois pi vezes m-estrela k_B T sobre h ao quadrado elevado a três meios, então esta calculadora não as recalcula a partir de massas efetivas. O gap E_g é o salto de energia entre o máximo da banda de valência e o mínimo da de condução, em elétron-volts. A temperatura T é a temperatura de rede em kelvin. A concentração intrínseca de portadores n_i é a densidade de equilíbrio de elétrons na banda de condução de um semicondutor puro, igual em equilíbrio térmico à densidade de lacunas na banda de valência. Na aproximação de Boltzmann não degenerada o produto das concentrações de elétrons e de lacunas é n_i ao quadrado, e o próprio n_i é a raiz de N_c vezes N_v vezes a exponencial de menos o gap sobre o dobro da energia térmica k_B T. A resposta ecoa nc, nv, bandgap e temperature e depois devolve a concentração intrínseca em metros cúbicos inversos como intrinsic_carrier_concentration e ni_m3, a densidade equivalente em centímetros cúbicos inversos como ni_cm3, que é n_i dividido por um milhão porque um metro cúbico contém um milhão de centímetros cúbicos. Também devolve a constante de Boltzmann em joules por kelvin e em elétron-volts por kelvin, a carga elementar usada para converter essas unidades, uma cadeia de unidade m^-3, a etiqueta de método intrinsic_carrier_concentration e um lembrete breve da fórmula. Não há tabela de materiais nomeados nem modelo de dopagem: você fornece N_c, N_v, E_g e T, e o motor constrói um n_i finito e não negativo ou rejeita a entrada com invalid_input. Os casos rejeitados incluem campos ausentes, valores não finitos, magnitudes acima dos tetos documentados, densidades de estados não positivas, um gap negativo e qualquer temperatura que não seja estritamente positiva, porque n_i igual à raiz de N_c N_v vezes exp de menos E_g sobre dois k_B T fica indefinido quando a energia térmica se anula ou muda de sinal. Se você precisa de um coeficiente de Hall, de um comprimento de Debye ou de uma frequência ciclotrônica, use essas ferramentas dedicadas; esta página responde só à reescrita intrínseca de quatro parâmetros, com saída numérica estável adequada a fichas, testes unitários e consumidores de API que não devem inventar modelos extras de semicondutor.

Como N_c, N_v, o gap e a temperatura são lidos e como n_i permanece reproduzível

N_c e N_v também devem ser estritamente positivas, porque uma densidade de estados não positiva não é uma banda de semicondutor. O cálculo multiplica a raiz do produto N_c N_v por Math.exp de menos E_g sobre dois k_B T, usando a constante de Boltzmann SI 2019 exata dividida pela carga elementar exata para que o expoente seja adimensional quando E_g vai em elétron-volts. Os campos preferidos são nc para a densidade efetiva de estados da banda de condução em metros cúbicos inversos, nv para a da banda de valência em metros cúbicos inversos, bandgap para E_g em elétron-volts e temperature para a temperatura absoluta em kelvin, mas os alias Nc, n_c, nc_m3 e conduction_density são aceitos para nc; Nv, n_v, nv_m3 e valence_density para nv; eg, Eg, eg_ev, bandgap_ev e energy_gap para bandgap; e T, t, temperature_k e temp para temperature, para que planilhas, cadeias de consulta e formulários tipados reutilizem o mesmo contrato. Sinais de mais opcionais no início e notação científica em cadeias numéricas são permitidos quando se interpretam como decimais finitos; espaços embutidos, prefixos hexadecimais e símbolos não numéricos são rejeitados com uma mensagem clara, para que uma célula defeituosa não vire um n_i errado. A temperatura deve ser estritamente positiva: se temperature for zero, negativa ou menos zero, a requisição falha com invalid_input porque a concentração intrínseca de portadores é indefinida para uma energia térmica não positiva. O gap pode ser zero, e nesse caso n_i se reduz à média geométrica de N_c e N_v, mas um salto negativo é rejeitado. Combine a execução gratuita do navegador nesta página com a API cobrada quando você precisar do resultado matemático idêntico dentro de uma pipeline automatizada sem reimplementar a fórmula de Boltzmann de n_i, e mantenha as densidades em metros cúbicos inversos, o gap em elétron-volts e a temperatura em kelvin para que os campos de concentração publicados fiquem em m^-3 sem uma conversão de unidades oculta dos manuais em centímetro-grama-segundo.

Onde a concentração intrínseca de portadores se encaixa no estudo, no processo e no software

Os docentes podem pré-gerar gabaritos para densidades de estados e gaps modestos sem confiar em calculadoras opacas que trocam em silêncio metros cúbicos inversos por centímetros cúbicos inversos ou omitem a notação científica. Ferramentas de produto e de educação usam a fórmula quando um aprendiz digita as quatro entradas e a interface precisa mostrar a concentração em m^-3 ao lado das constantes que a produziram. Os estudantes encontram n_i quando um curso de estado sólido passa de átomos isolados a bandas de energia, quando um problema de olimpíada pede a concentração intrínseca de silício, germânio ou arseneto de gálio a partir de N_c, N_v e E_g tabelados a 300 K, ou quando comparam como n_i dispara com a temperatura por causa do fator exponencial de Boltzmann. Engenheiros de dispositivo usam n_i para semear equações de neutralidade de carga, para estimar n_i ao quadrado em checagens da lei de ação das massas de uma junção pn, e para ver como um salto de processo de 20 kelvin move a população intrínseca antes de os termos de dopagem dominarem. Os desenvolvedores chamam o mesmo contrato a partir de scripts para semear vetores de teste determinísticos em modelos compactos, para normalizar N_c, N_v, E_g e T informados pelo usuário antes de uma demonstração de diagrama de bandas, ou para satisfazer enunciados de programação que exigem n_i em vez de um atalho improvisado de 1.5 vezes 10 à 10 por centímetro cúbico com hipóteses de material não documentadas. Os cadernos de processo comparam n_i na temperatura de recozimento frente à de sala para o mesmo gap. Nesta página o trabalho roda inteiro no seu navegador; pela API cada consulta bem-sucedida custa US$ 0,002, a validação falha não é cobrada e nada é armazenado depois que a resposta retorna. Essa divisão —exploração interativa gratuita e uma API cobrada idêntica— coincide com o restante do catálogo KIT tier A e permite passar de uma demonstração de sala a uma pipeline automatizada sem mudar o resultado matemático. Combine-a com ferramentas de coeficiente de Hall ou de comprimento de Debye quando precisar de escalas de semicondutor ou de plasma relacionadas, e com outros endpoints de física quando montar um pequeno laboratório de auxiliares científicos gratuitos e determinísticos.

Exercícios e conferências de tabelas de estado sólido

Calcule n_i a partir de N_c, N_v, E_g e T do manual para silício, germânio ou GaAs e confira a concentração intrínseca antes de problemas de junção pn ou de ação das massas.

Fixtures de teste determinísticos

Gere concentrações intrínsecas de portadores reproduzíveis para testes unitários, checagens de propriedades e asserções de CI em modelos compactos e cadernos de dispositivo.

Ferramentas didáticas e notas de processo

Normalize as densidades de estados, o gap e a temperatura informados pelo usuário em n_i para aulas interativas, demonstrações de diagrama de bandas e varreduras de temperatura de processo.

Quanto custa a calculadora de concentração intrínseca de portadores?

É gratuita no seu navegador nesta página. Pela API uma requisição bem-sucedida custa US$ 0,002; entradas inválidas não são cobradas.

Como n_i é definido aqui?

Para as densidades efetivas de estados de condução e de valência N_c e N_v, o gap E_g e a temperatura T, n_i = sqrt(N_c N_v) exp(-E_g / (2 k_B T)) com k_B = 1.380649×10⁻²³ J/K (SI 2019 exato). Informe N_c e N_v em m^-3, E_g em eV e T em kelvin. A unidade SI de n_i é m^-3; ni_cm3 é a mesma densidade em cm^-3.

Ver a documentação completa do KIT →